12月1日，宏光半導體（6908.HK）發布公告稱已完成相關配售事宜。宏光以每股6.20港元的對價成功配售1434.6萬股，占已發行股本的2.55%。宏光此次配售備足了彈藥，是其在氮化鎵（”GaN”）領域布局的重要一環。
GaN布局的星辰大海
當前，第三代半導體是增長最快的半導體細分行業之一。宏光半導體早有先見之明，對GaN進行前瞻性的布局。
其中，宏光通過通過子公司對以色列第三代半導體領域GaN器件的全球領導者VisIC Technologies（”VisIC”）持股，持股數占VisIC的21.86%。VisIC成立于2010年，是世界公認的GaN在電動車領域應用的領導者。其團隊擁有深厚的GaN技術知識和數十年的產品經驗基礎，并在GaN領域具備關鍵專利布局。在領先的技術儲備的基礎上，VisIC成功開發了GaN基大功率晶體管和模塊，產品可廣泛使用于電能轉換、快速充電、射頻和功率器件等應用領域。
而近日（11月24日），宏光半導體再次加碼對GaN前沿技術的布局——宏光擬戰略性投資一家加拿大的GaN提供商——GAN SYSTEMS。GAN SYSTEMS擁有一支具備數十年GaN產品經驗之管理團隊，已經突破高電流GaN功率半導體技術。GAN SYSTEMS擁有全球汽車、消費者、工業及數據中心客戶，產品能有效降低二氧化碳排放水平，并提高電力系統的效率。是次戰略投資獲得頂級汽車制造商兼GaN Systems現有股東BMW i Ventures，以及Fidelity和Vitesco Technologies等參與，相信在汽車半導體中將大有可為。
通過這些策略性投資，宏光能依靠成熟的工藝，擁有行業技術、設備和產能，絕對有能力對接全球未來幾年供不應求的汽車電子和 IDC 電源芯片的供應鏈，解決國家“卡脖子”的問題，打造中國產能和供應鏈。
引入最強半導體產業團隊
在公告中，宏光半導體還更新了關于GaN新工廠的進展。集團新工廠位于徐州經濟技術開發區，包括7000平方米的超凈間以及850平方米的辦公區域。宏光透露集團計劃在工廠內安裝一條用作生產包括GaN相關產品在內的電子產品生產線，日后將進一步升級至全自動芯片運作。
萬事俱備，東風也已來。集團邀請了多位產業“大咖加盟”，組成業內領先的生產管理團隊。團隊成員包括陳振博士、廠長呂瑞霖先生、張汝京博士及ThomasHu博士。
其中，陳振博士是集團GaN半導體業務的核心專家、也是徐州工廠的總經理，是項目的“靈魂人物”之一。陳振博士深耕GaN基光電工程設備領域超過20年，以及掌握GaN電子器件及全波段固態發光器件的核心技術。
除了產業經驗，陳振博士在學術屆也是赫赫有名，曾與諾貝爾獎得主中村修二教授、美國工程院院士UmeshMishra教授一起工作，研發的GaN高電子遷移率晶體管性能，連續兩次打破當時世界紀錄。其曾擔任超過10家國際學術期刊的審稿人，電氣和電子工程師協會（IEEE）光子學會高級會員，IEEE電子器件協會高級會員。他曾撰寫或合著3三篇書籍章節，發表50余篇同行評議學術論文及20篇會議論文集，申請國內外專利30余項。
其他成員也是GaN與半導體領域的佼佼者。廠長呂瑞霖先生具備30余年半導體行業和晶圓代工廠技術和管理經驗。他曾擔任中芯、華虹的半導體工廠經理，也有建設新廠的經驗，有利于建廠的進度的順利推動。集團的高級顧問張汝京博士是中芯國際的創辦人和前任CEO，也是中國半導體市場的行業領袖，人們稱之為“中國半導體之父”。Thomas Hu博士在國際領先的GaN器件設計和工藝制造公司有20余年工作經驗。他擁有GaN器件設計的先進技術外，亦具有半導體流程控制、營運晶圓及管理的經驗。他曾擔當多個GaN HEMT器件研發項目的主要研究人員、多個GaN HEMT器件設計和工藝制造相關的美國專利及商標局授權專利的發明人員。產業團隊陣容豪華，成為GaN新工廠的中堅力量。
張汝京博士和項目發起人伍伸俊先生于2021年8月中信建投舉辦的第三代半導體論壇強調，中國產業在第三代半導體板塊有投資效率高、當前技術水平跟德國、美國、日本等行業企業在同一個跑道線上，中國企業有能力直道超車，成就全球領先的IDM公司。當前，宏光半導體已以GaN領域為核心的第三代半導體布局，相信未來將迎來高速增長。
第三代半導體這個產業跑道商機巨大，投資效率高（GaNIDM投資規模達2-3億美元額度）。相比可對標的公司如Wolfspeed和 Infineon 都是100億-500億美元估值的企業，宏光現在的股價約為6.90港元，市值僅為30多億港元，有著極大的發展空間。
通過引入團隊、對外投資以及促成下游客戶合作，宏光迅速在三代半導體相關技術的產業成立IDM模式，占據先發優勢，后續發展值得期待?，F在具備產品、產能、團隊，中國有機會出現未來10年新的INTEL或英飛凌公司。?
關鍵詞： 宏光半導體（6908 HK）：配售完成引入最強研發團隊 GaN
